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    飛行時間二次離子質譜儀的基本使用要求

    發布時間:2022-06-10瀏覽:206次

       飛行時間二次離子質譜儀是一種利用高能離子束轟擊樣品產生二次離子并進行質譜測定的儀器,可以對固體或薄膜樣品進行高精度的微區原位元素和同位素分析。由于地學樣品的復雜性和對精度的苛刻要求,在本領域內一般使用定量精度高的。

      
      1.靜態分析要求一次離子束流要有較低的密度,因此,常常選用較大尺寸的束斑以便使得一定的靈敏度得以保持。面分布及深度剖面分析要求束斑直徑小且可進行掃描,也應當相應地提高束流密度。初次意外,進行表面清潔處理也要求束流密度比較高。因此對次束流大小及束流密度的調節范圍應當比較寬,并且選用的離子槍類型常常不同,并且對不同種類的一次離進行選用。
      
      2.離子流檢測系統檢測靈敏度、動態范圍和響應速度應當盡可能高,并且相應的數據采集、處理和顯示系統也應該有。
      
      3.還需帶有中和作用的電子槍以便對絕緣樣品進行分析。還常需有二次電子成像系統以便對表面形貌進行觀察。
      
      4.SIMS,尤其是靜態SIMS,在超高真空下工作為基本要求。因為在樣品表面上注氧能夠使二次離子產額提高和穩定,而且能夠使濺射產額降低,所以注氧裝置常常被要求攜帶。
      
      5.要求可以在超高真空下機械調節樣品的位置,并且相應的送樣、取樣裝置也應當配備,樣品還應當進行加熱、冷卻、破碎和清潔處理等步驟。
      
      6.二次離子分析系統的總流通率要求盡可能高,適當的質量分析范圍和質量分辨率需要具備,將質量歧視效應克服并且分析速度盡可能快。還要求可以對質譜計前二次離子能量窗口的位置和寬度進行調節。

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